【摘 要】
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Negative bias temperature instability(NBTI) has become a serious reliability issue, and the interface traps and oxide charges play an important role in the degr
【机 构】
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School of Mechano-electric Engineering,Xidian University,Key Laboratory of Wide Band-gap Semiconduct
【出 处】
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Chinese Physics B
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Negative bias temperature instability(NBTI) has become a serious reliability issue, and the interface traps and oxide charges play an important role in the degradation process. In this paper, we study the recovery of NBTI systemically under different conditions in the P-type metal–oxide–semiconductor field effect transistor(PMOSFET), explain the various recovery phenomena, and find the possible processes of the recovery.
In this paper, we study the recovery of NBTI systemically under different conditions in the P-type metal -oxide-semiconductor field effect transistor (PMOSFET), explain the various recovery phenomena, and find the possible processes of the recovery.
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