A novel 4H-SiC trench MOSFET with double shielding structures and ultralow gate-drain charge

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jizhe1983621
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A new ultralow gate–drain charge(QGD) 4 H-SiC trench MOSFET is presented and its mechanism is investigated by simulation. The novel MOSFET features double shielding structures(DS-MOS): one is the grounded split gate(SG), the other is the P+shielding regio
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