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ＳｉＧｅＣ三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解ＳｉＧｅ合金的应变，同时调节其能带，在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术生长了掺碳达２．２％的锗硅碳合金，获得了良好的外延层质量，并对碳的应变缓解效应进行了研究。
锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究
【摘 要】
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ＳｉＧｅＣ三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解ＳｉＧｅ合金的应变，同时调节其能带，在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术生长了掺碳达２．２％的锗硅碳合金，获得了
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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材料科学与工程
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金重大项目 !6 9890 2 3 0 ,,国家自然科学基金!6 96 86 0 0 2
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