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用氦离子等离子体辅助分子束外延方法生长了ＩｎＰ（ＩｎＧａＡｓＰ）／ＩｎＰ结构。结果发现，ＰＡＢＭＥ外延层具有很高的电阻率和很快的光反应特征。用慢正电子湮没方法研究了这一外延层。测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。
用正电子湮没方法研究氦离子等离子体辅助分子束外延InP（InGaAsP）／InP结
【摘 要】
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用氦离子等离子体辅助分子束外延方法生长了ＩｎＰ（ＩｎＧａＡｓＰ）／ＩｎＰ结构。结果发现，ＰＡＢＭＥ外延层具有很高的电阻率和很快的光反应特征。用慢正电子湮没方法研究了这一外延层。测量结果说明这些特性与等离子
【机 构】
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天津师范大学
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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2000年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金!69886001
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