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基于密度泛函理论的第一性原理计算了N掺杂ZnO (100)表面的形成能和电学性质。首先,我们分析了N掺杂ZnO (100)表面不同层时的结构弛豫情况,接着计算了N掺杂表面的形成能和电子结构。结果表明N掺杂后体系发生较大的晶格畸变。N掺杂块体ZnO的形成能比掺杂表面时的形成低。结果表明N很容易聚集在体内而不是表面。从N掺杂ZnO (100)表面的电子结构中得知,体系的费米能级向价带移动,这主要归因于N-p态,同时体系表现为p型特征。