【摘 要】
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采用离子注入法在GaN薄膜中实现了Er^3＋和Eu^3＋离子的共掺杂.以阴极荧光光谱仪为主要表征手段,研究样品的光学特性和能量传递机理.在300K温度下,Er^3＋和Eu^3＋共掺杂GaN薄膜能够实
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州科技大学物理科学与技术系
【基金项目】
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国家自然科学基金（Nos.61306004,51002179）资助
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采用离子注入法在GaN薄膜中实现了Er^3＋和Eu^3＋离子的共掺杂.以阴极荧光光谱仪为主要表征手段,研究样品的光学特性和能量传递机理.在300K温度下,Er^3＋和Eu^3＋共掺杂GaN薄膜能够实现绿光和红光的同时发射.随着Er^3＋离子掺杂剂量的增加,Eu^3＋离子相关发光峰的强度减弱,Er^3＋离子对应的两个相关发光峰强度比值减小,表明Er^3＋和Eu^3＋离子之间发生了能量传递,能量传递的方向为Eu^3＋→Er^3＋.变温阴极荧光光谱显示,Er^3＋离子的2H11/2和4S3/2两个能态相关的跃迁
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