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采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关性，得到了最佳的工艺条件，并利用其制备出了探测灵敏度高达2．17×10^8cmHz^1/2W^-1的a-Si室温红外探测器。
用于室温红外探测器热敏材料的PECVD掺硼a-Si薄膜的研究
【摘 要】
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采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2006年4期
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