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1.3 m m InGaAsN/ GaAs Lasers Grown by MOCVD Using TBAs and DMHy Sources
1.3 m m InGaAsN/ GaAs Lasers Grown by MOCVD Using TBAs and DMHy Sources
来源 :黑龙江科技学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bluebluewater
【摘 要】
:
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7
【作 者】
:
GrayLin,C.M.Lu,C.H.Chiou,I.F.C
【出 处】
:
黑龙江科技学院学报
【发表日期】
:
2003年z1期
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为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7<
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