15～17GHz高精度单片数控移相器的研制

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：turtle0906

【摘要】

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采用南京电子器件研究所4英吋0.25μmGa AsPHEMT工艺技术,设计、制作Ku波段Ga AsMMIC六位数控移相器芯片,芯片尺寸为3mm×1.1mm×0.1mm。在15～17GHz设计频带内,该移相器具有优

【作者】

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潘晓枫沈亚洪伟

【机构】

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南京电子器件研究所,东南大学信息科学与工程学院

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2010年01期

【关键词】

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砷化镓移相器高电子迁移率场效应晶体管微波单片集成电路

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采用南京电子器件研究所4英吋0.25μmGa AsPHEMT工艺技术,设计、制作Ku波段Ga AsMMIC六位数控移相器芯片,芯片尺寸为3mm×1.1mm×0.1mm。在15～17GHz设计频带内,该移相器具有优良的电性能,插入损耗小于9dB,移相精度(RMS)小于1°,输入输出电压驻波比小于1.4。

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