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针对声表面波（SAW）器件对金刚石膜的要求，采用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）装置，研究了不同气体体系对金刚石膜生长速率、电阻率、表面形貌、表层C化合态及相对含量（粒子数分数托）的影响。结果表明：在H2-CH3COCH3、CH4-H2-Ar和CH4-H2-N2三种气体体系下，金刚石膜的生长速率分别达0．63，0．59和0．58nm／h，较常规CH4-H2体系提高了1倍左右，且金刚石膜电阻率高（10^10Ω·cm）、晶型好、晶粒尺寸小、表层金刚石C—C键相对含量高（Xc〉80％）