【摘 要】
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提出了一种应用于ISM频段的低相位噪声LC VC0。电路采用TSMC 0．18μm1P6M混合信号CMOS工艺进行设计，芯片版图面积740μm×700μm。在电源电压为1．8V时，后仿真结果表明，电路工
【机 构】
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东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心
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提出了一种应用于ISM频段的低相位噪声LC VC0。电路采用TSMC 0．18μm1P6M混合信号CMOS工艺进行设计，芯片版图面积740μm×700μm。在电源电压为1．8V时，后仿真结果表明，电路工作频率为2．4GHz时，调谐范围为23％。在偏离中心频率1MHz处，相位噪声为-124．2dBc／Hz。核心部分功耗约为7．56mW。
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