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氮氧化技术使SiO2的应用向45nm节点迈进。氮的引入是一项复杂的工艺，由于这一工艺诱发的界面陷获电荷对栅介质完整性十分关键．因此要求进行严格的控制。
晶体管栅介质物理、工艺和特性表征技术的演变
【摘 要】
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氮氧化技术使SiO2的应用向45nm节点迈进。氮的引入是一项复杂的工艺，由于这一工艺诱发的界面陷获电荷对栅介质完整性十分关键．因此要求进行严格的控制。
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2006年11期
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