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采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一镀铜层．通过对掺铜前后多孔硅的光致发光（PL）谱和傅里叶变换红外（FTIR）吸收光谱的研究，讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响。实验表明，掺铜多孔硅的光致发光谱出现两个发光带，其中能量较低的发光带随主发光带变化，并使多孔硅的发光峰位蓝移。多孔硅发光峰位的蓝移，是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程（纳米Si氧化为SiO2）的缘故。