【摘 要】
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1 用于功率模块的散热装置rn绝缘栅双极晶体管,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由双极型晶体管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)组合而成的复合全控型电压驱动式功
【机 构】
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国家知识产权局专利局专利审查协作天津中心 天津 300304
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1 用于功率模块的散热装置rn绝缘栅双极晶体管,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由双极型晶体管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)组合而成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件[1].随着市场对IGBT模块的需求增加,IGBT模块在各个方面均取得了较大的发展.IGBT封装模块在运行过程中会存在功率损耗,损失的电能会以热的形式耗散到周围的环境当中,由于半导体材料对温度反应敏感,一旦散热不充分便会导致IGBT模块性能下降,即随着功率密度的增加,IGBT模块的失效也日益明显.因此,为了提高IGBT封装模块的可靠性,对IGBT模块内部的传热散热规律进行研究,设计简单高效的散热装置用于解决IGBT模块内部传热问题是必要的[1,2].
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