2. 您的位置
3. 首页
4. 期刊论文
5. 12kV 4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现

12kV 4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：herewe

【作 者】

：

杨同同  陶永洪  杨晓磊  黄润华  柏松 

【出 处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2018年03期

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

基于CPN 的on-the-fly测试方法研究

学位

基于电子政务系统的SOC安全监控的研究与实现

学位

基于T-QoS感知的服务组合优化研究

学位

Linux环境网关中IPSec VPN的设计与实现

学位

基于卡尔曼滤波器的DDoS防御技术研究

学位

《长生殿》与洪昇的爱情观

期刊

钙离子是经络活动的关键因素之一

期刊

未来网络休眠方案研究

学位

PaaS平台基于元数据的多租户核心引擎的研究与实现

学位

时间约束条件下web服务组合的形式化分析与验证

学位