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用固定能量（100kev）不同注量（1×10^11-3×10^12cm^-2）或固定注量（3×10^12cm^-2）不同能量（50-170keV）的质子，照射GaAs／Ge太阳电池，获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系。结果表明，质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响。这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷，使晶格空间的完整性受到破坏，导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加。在质子能量相同的条件下，电池光学性能衰降随照射注量增大；在注量相同的条件下，辐射能量越高，