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研究了盐酸克伦特罗(CLB)在纳米CeO2修饰碳糊电极上的电化学行为。结果表明:在0.10mol·L^-1的HC104溶液中,CLB于+0.40V(vs SCE)左右处产生1对准可逆的氧化还原峰。与裸碳糊电极相比,CLB在修饰电极上的电流响应明显增大,据此建立了尿样中CLB的微分脉冲伏安测定方法。线性范围为5.0×10^-9 6.0×10^-6mol·L^-1(r=0.9982,n=7),检出限为2.5×10^-1mol·L^-1(3sb),加标