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用XPS对沉积在硅基片上的聚酰亚胺LB膜以及由它真空热解制备的SiC薄膜进行了研究, 并对其形成过程进行了跟踪分析.XPS结果显示聚酰亚胺LB膜结构均匀,质量良好;真空热解时,约在670℃时LB膜中的C与衬底Si反应形成SiC;Ar离子溅射深度俄歇谱表明所制备的SiC膜中Si和C浓度成梯度分布,说明SiC是由Si和C相互扩散反应形成的.