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在掺稀土元素钇(Y)制备的室温电阻率约为7Ω·cm的n型非晶硅,即α-Si:H(Y)薄膜上,蒸发一层面积为3mm~2的Au或Al膜,从而形成一种金属/α-Si:H(Y)结构。测量该结构的电流—电压特性,结果观察到明显的Schottky势垒整流效应。但与通常情况不同,当加偏压使金属为负时出现电流的导通态,而加偏压使金属为正时出现电流的截止态。这是由于α-Si:H(Y)表面反型。