【摘 要】
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为了改善SiC MOS电容氧化膜的质量和界面态密度,采用正交试验法考察了温度、压力、时间以及一氧化氮气流量等主要氮化工艺参数对4H-SiC MOS电容栅氧特性的影响,发现温度是影
【机 构】
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新型功率半导体器件国家重点实验室,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,株洲中车时代电气股份有限公司,
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为了改善SiC MOS电容氧化膜的质量和界面态密度,采用正交试验法考察了温度、压力、时间以及一氧化氮气流量等主要氮化工艺参数对4H-SiC MOS电容栅氧特性的影响,发现温度是影响栅氧特性最关键因素。优选出栅氧的最佳氮化工艺条件,并找到氮化工艺条件对击穿电压和界面态密度的影响规律。
In order to improve the quality and interfacial density of SiC MOS capacitors, the effects of main nitriding process parameters such as temperature, pressure, time and nitric oxide gas flow on the gate-gate characteristics of 4H-SiC MOS capacitors were investigated by orthogonal test. Temperature is the most critical factor that affects the gate oxide properties. The optimal nitridation process conditions for gate oxygen are optimized, and the influence rules of the nitriding process on the breakdown voltage and the interface state density are found out.
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