全球代工为什么争相扩充8英寸产能

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  两则消息引起业界兴趣。一则是无锡海力士一意法半导体(Hynix-STSemiconductor)于07年9月6日宣布,与中国华润(集团)有限公司就出售200mm晶圆的生产线“C1-FAB”签订了正式协议。韩国海力士半导体为竞争力已达到极限的200mm晶圆生产线采取各种处理方案。尽管华润与海力士均未透露具体交易金额。不过,从一位业内人士处得知,华润为该生产线付出了3.8亿美元。
  另一则消息是全球代工厂中,台积电,中芯国际,特许及世界先进皆积极扩充8英寸产能。其中台积电购买Atmel的8英寸旧设备,用于扩充松江厂;中芯国际更是一马当先,一方面在成都布局“成芯”8英寸旧线,目前已进入量产水平。另一方面又宣布近期将于深圳再建8英寸生产线;台积电投资的世界先进购并华邦的8英寸旧线以及近期特许以2.33亿美元买下日立于新加坡的8英寸旧线,月产能达2.4万片等。
  正当全球12英寸节节向上,呈主流状态时,全球代工却一反常态,争相扩充8英寸产能。其实以上两则消息并无矛盾。表明在存储器领域中8英寸的局限性逐渐显露,纷纷退出而转向12英寸。而在全球代工中,由于0.13至0.35微米段的市场需求旺盛,而相对90及65纳米段的订单弱,再次选择8英寸旧线,从经济上也合乎情理。因此不同事物有不同策略在市场经济中是正常的选择。
  
  市场竞争的新格局
  
  从06年开始全球半导体业中存储器的地位再次引起业界极大的关注。由于存储器的特征,竞争实力主要依靠采用更小的尺寸及规模取胜。在DRAM中07年时主流的先进制程为70纳米。
  全球DRAM厂花大量的投资于70纳米制程,却因DRAM价格下跌远快于DRAM制程技术所产生成本下跌速度,使70纳米制程成为DRAM产业有史以来最短命技术。通常一个制程技术大多使用2年,有的3年,此次70纳米制程技术仅使用1年,恐是DRAM产业有史以来最不划算的投资。其中台湾力晶07年第二季开始导入70纳米制程,将在08年的第二季投入下一代65纳米制程技术。三星于07年Q2(第二季)导入68纳米制程,而08年将转入58纳米制程;海力士07年时采用66纳米制程,至08年Q2时将导入54纳米制程。
  而在NAND中会采用比DRAM更先进的制程。预计08年全球NAND将有60%的产能采用50纳米及以下制程。如美光将于08年采用35纳米制程生产64G及128G NAND闪存为计算机使用。
  因此。在存储器业中由于制程技术大部分已跨入70纳米以下,通常的8英寸生产线都是己运行近10年左右时间,光刻制程及规模都无法满足要求。所以业界预计全球共有43条8英寸存储器生产线。每年将以30%的速度淘汰或升级成12英寸。
  在这种趋势下。全球代工业为什么纷纷扩充8英寸产能。可从中芯国际07年的财报中看出端倪,如其逻辑电路中90纳米的订单干07年Q4中占7.7%;07年Q3中占13.7%及06Q4中占14.7%I相应的0.13微米分别占24.4%、28.6%及14%;0.18微米分别占28.3%、28.8%及33.3%;0.35微米分别占22.7%、18.5%及9.5%,反映0.35微米产品的市场需求正在逐步上升。
  业界深有感慨,之前有近70%的新产品会采用最先进的制程,而目前已大幅下降至20%。
  
  高端代工出现减缓投资的征兆
  
  以前代工业固有的弱势是,凡先进的、量大面广的产品,如英特尔的CPU、三星的存储器及东芝的NAND等几乎不可能将订单释出给代工。一则怕技术外泄,另外丰厚的利润也不愿与别人分享。所以顶级的IDM拥有最先进的制程及最大的规模是必然发展趋势。
  然而,在全球代工业中,随着先进制程的研发费用呈火箭状上升,一定会面临投资的回报率矛盾。一个方面确有如TI、NXP等顶级IDM厂纷纷采用fablite(轻制造)策略,将订单转出给台积电。
  但是,如果代工业得不到数量足够大的订单,也会面临同样的窘境。目前来看,至少在08年中全球代工的投资普遍下降,如台积电于07年投资为26亿美元,而08年下降为18亿美元,幅度下降达30%,并预计未来5年的资本支出占营收的比重将进一步下降。所以业界已预言“全球代工已落后于摩尔定律”。虽然这仅是短暂的动作,将来的发展仍不可预期。但是价值规律是推动全球产业链变化的根本原因。
  IDM厂采用fablite策略,将订单释出,但同时将投资的风险转移给代工,在此期间代工执行得好。继续发展壮大。反过来,如果代工业退缩,有可能迫使那些IDM以新的方式重新建厂。这就是市场经济,供需关系的不断的变化。
  


  


  


  


  
  结语
  
  全球代工处在关键转折时期,利益与风险共存。近期扩充8英寸产能或许暂时能有利。关键在时间段及程度的把握。任何模式都有利弊。取决于不断创新及提升价值。
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