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采用直流脉冲磁控溅射方法，在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜（GZO／H），并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响。实验表明，氢化GZO（GZO／H）薄膜具有良好的（002）晶面择优取向生长，引入适当流量的H2可以有效提高薄膜的电学特性，GZO／H薄膜具有更低的电阻率以及较高的迁移率和载流子浓度。当通入H2流量为6sccm时，薄膜电阻率为6．8×10^-4Ω·cm，Hall迁移率达34．2cm^2／V·s，制备的GZO／H薄