【摘 要】
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硅通孔（TSV）技术是先进的三维系统级封装（3D SIP）集成技术乃至三维集成电路（3D IC）集成技术的核心．TSV绝缘完整性是决定其电性能和长期可靠性的关键因素，在生产过程中对该特性进行在
【机 构】
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北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京信息科技大学信息微系统研究所,北京大学深圳研究生院
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硅通孔（TSV）技术是先进的三维系统级封装（3D SIP）集成技术乃至三维集成电路（3D IC）集成技术的核心．TSV绝缘完整性是决定其电性能和长期可靠性的关键因素，在生产过程中对该特性进行在线（inline）测试，及早筛除有缺陷的产品晶圆，可以有效降低总生产成本．本文提出在晶圆减薄前，通过探针与相邻两个TSV盲孔顶部接触进行I-V特性测试，得到两孔间漏电流数据，绘成曲线．若所得I-V曲线在电压为7V～10V时基本呈线性上升，且漏电流为几十皮安量级，则可初步判断该TSV盲孔对的绝缘完整性合格，可进入下一步
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