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用PECVD淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜,SiF4的流量达到60sccm时,薄膜的相对介电常数可以降低到3.2。对试样的FTIR分析表明,薄膜中大部分的氟以Si-F键形式存在。C-V特性测试表明,薄膜介电常数随氟含量的增加而减小,但薄膜的吸水性随氟含量的增加而变大。并进一步讨论了介电常数和薄膜稳定性与薄膜中氟原子含量之间的内在联系。