辐射加固SOI工艺FPGA的设计与验证

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进行了一款辐射加固SRAM基VS1000 FPGA的设计与验证.该芯片包含196个逻辑模块、56个IO模块、若干布线通道模块及编程电路模块等.每个逻辑模块由2个基于多模式4输入查找表的逻辑单元组成,相对传统的4输入查找表,其逻辑密度可以提高12%;采用编程点直接寻址的编程电路,为FPGA提供了灵活的部分配置功能;通过对编程点的完全体接触提高了全芯片的抗辐射能力.VS1000 FPGA基于中电集团第58所0.5 μm部分耗尽SOI工艺进行辐射加固设计并流片,样片的辐照试验表明,其抗总剂量水平达到1.0
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