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双重图形需要更新更苛刻的刻蚀能力，要求低于1.5nm CD均匀性、图形收缩和原位多层刻蚀。
刻蚀实现双重图形的前景
【摘 要】
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双重图形需要更新更苛刻的刻蚀能力，要求低于1.5nm CD均匀性、图形收缩和原位多层刻蚀。
【机 构】
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LamResearchCorp.www.lamresearch.com
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2008年4期
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