【摘 要】
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利用真空蒸镀的方法制备了结构为：ITO/m-MTDATA（20 nm）/NPB（15 nm）/DPAVBi：Rub（x nm,2%）/Alq3（25 nm）/Li F（0.5 nm）/Al（100 nm）的器件.研究了掺杂层的不同厚度（x=15,25和30 nm）对器件性能的影
【机 构】
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长春理工大学材料科学与工程学院,吉林师范大学信息技术学院
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利用真空蒸镀的方法制备了结构为：ITO/m-MTDATA（20 nm）/NPB（15 nm）/DPAVBi：Rub（x nm,2%）/Alq3（25 nm）/Li F（0.5 nm）/Al（100 nm）的器件.研究了掺杂层的不同厚度（x=15,25和30 nm）对器件性能的影响.结果是当掺杂层的厚度为25 nm时,器件的性能最好.当电流密度为524.22 m A/cm2时,获得最大电流效率,为4.37 cd/A;获得最大亮度,为22 890 cd/m2.器件的高亮度与高效率主要是因为主客体之间的能量转移
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