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采用催化剂辅助化学气相沉积法,在匹配的GaN衬底上定向生长一维ZnO纳米结构。重点讨论了催化剂、沉积位置和管内真空度的对比性优化实验结果 ,分析给出了纳米阵列最佳的生长工艺条件。在管内压强保持1Kpa~2 Kpa范围,距反应中心12.5 cm处,成功研制出了整片尺寸均匀、形貌优良、垂直排列的高质量ZnO纳米线阵列。