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小尺寸ＭＯＳＦＥＴ的强场性，场畸变性和漏区尺度比例的增大，使它的分布效应增强，更准确地描述小尺寸器件的栅电流需要分布模型。本文依据“幸运电子”概念，基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型，建立了ＮＭＯＳＦＥＴ的电子和空穴栅电流的分布模型，空穴栅电流的分布模型是基于负纵向场加速的新的发射物理过程建立的，所建分布模型包含了更祥尽的热载流子向栅发射的物理过程，这将有利于ＭＯＳＦＥＴ热载流子的损伤的