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提出了一种新的部分耗尽SOI体接触技术,与其它体接触技术相比,该方法可以有效抑制SOI器件的浮体效应.形成多晶硅栅之前在源区进行大剂量P+杂质注入,然后形成非对称源区浅结结构.然后生长硅化物电极,厚的硅化物穿透源区浅结与下面高浓度的体区形成欧姆接触.二维器件模拟表明该结构可以有效降低强反型区体区电势,从而抑制了浮体效应.