【摘 要】
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本文基于金属簇模型和单激发组态相互作用方法。用Ｈ／Ｐｔｎ（ｎ＝５，６）δ＝０，－１）簇模拟了Ｐｔ（１００）电极上不同吸附位的电子跃迁性质，计算结果表明当采用５１４．５ｎｍ入射激发光时，桥位和穴位吸附的电子跃迁偶极矩和振子强度都很
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本文基于金属簇模型和单激发组态相互作用方法。用Ｈ／Ｐｔｎ（ｎ＝５，６）δ＝０，－１）簇模拟了Ｐｔ（１００）电极上不同吸附位的电子跃迁性质，计算结果表明当采用５１４．５ｎｍ入射激发光时，桥位和穴位吸附的电子跃迁偶极矩和振子强度都很小。因而Ｒａｍａｎ信号太弱，不能检测到；只有在高覆盖度下氢顶位吸附，才能检测到Ｒａｍａｎ信号，与实验结果一致。
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