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报道了汞膜修饰掺锡三氧化二铟导电玻璃电极的制备及其薄层电化学池的设计，测试限电极和薄层的光、电化学性能，在水溶液中，与基底电极相比，该电极的负电位范围增加了７００ｍＶ，并表现出普通汞电极的电化学 性质，以此电极制得的电极制得的薄层层池可适用于氧化还原电位较负的电化学过程的光谱电化学研究及金属离子的电化学分析。