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原始电阻率不同的NTD CZ-Si单晶,消除辐照损伤、恢复电参数所需的最低退火温度不同。原始电阻率越低,恢复电学性能所需的温度也越低。当掺杂比大于5时,这种差异变得不明显了。这主要是由于辐照引入的损伤程度、缺陷形态及密度不同所致。
不同原始电阻率的NTD CZ—Si单晶退火行为的差异
【摘 要】
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原始电阻率不同的NTD CZ-Si单晶,消除辐照损伤、恢复电参数所需的最低退火温度不同。原始电阻率越低,恢复电学性能所需的温度也越低。当掺杂比大于5时,这种差异变得不明显了
【机 构】
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河北工学院材料研究中心,河北工学院材料研究中心
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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1992年2期
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