【摘 要】
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根据半导体理论并结合实验结果，分析了以GeSi／Si超晶格为吸收材料的PIN红外探测器的漏电现象。结果表明：当锗含量x=0．6时，探测器的暗电流密度可达到10-5A／cm2，这是由超晶格的禁带宽
【机 构】
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根据半导体理论并结合实验结果，分析了以GeSi／Si超晶格为吸收材料的PIN红外探测器的漏电现象。结果表明：当锗含量x=0．6时，探测器的暗电流密度可达到10-5A／cm2，这是由超晶格的禁带宽度决定的。实际器件的暗电流较大，主要是表面因素和加工工艺的影响。
According to the semiconductor theory and the experimental results, the leakage phenomenon of the PIN infrared detector with GeSi / Si superlattice as the absorbing material is analyzed. The results show that when the germanium content is 0.6, the dark current density of the detector can reach 10-5A / cm2, which is determined by the forbidden band width of the superlattice. Dark current of the actual device is larger, mainly the surface effects and processing technology.
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