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主要研究HPM脉冲直接辐照半导体材料情形,给出了平面电磁波垂直入射到一维杂质半导体材料并透射进入其内部时,透射系数的计算方法并分析并计算了HPM脉冲从杂质半导体表面上透射进入内部的电场值、电流密度.
高功率微波对杂质半导体材料的透射计算
【摘 要】
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主要研究HPM脉冲直接辐照半导体材料情形,给出了平面电磁波垂直入射到一维杂质半导体材料并透射进入其内部时,透射系数的计算方法并分析并计算了HPM脉冲从杂质半导体表面上透
【机 构】
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常德师院电子学研究所,西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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湘潭大学自然科学学报
【发表日期】
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2002年2期
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