击穿电荷(QBD):监测E~2PROM中超薄隧道氧化层的一种方法(英文)

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本文采用恒定电流应力的QBD测试来描述超薄隧道氧化层的质量。E2PROM失效的内在机理是由于隧道氧化层中的电荷陷阱。并同时绘出了QBD的测试方法。测试表明,使用8nm隧道氧化层,QBD>5C/cm2时,可获得高质量的E2PROM电路,擦/写次数可超过100万次。 In this paper, constant current stress QBD test to describe the quality of ultra-thin tunnel oxide layer. The intrinsic mechanism of E2PROM failure is due to charge traps in tunnel oxide. And at the same time draw QBD test method. Tests show that the use of 8nm tunnel oxide layer, QBD> 5C / cm2, access to high-quality E2PROM circuit, erase / write times can be more than one million times.
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