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结合宏观和微观模型，分别模拟计算有效漂移速度V(f)线形对GaAs/AlAs掺杂弱耦合窄垒和宽垒超晶格纵向输运的影响．U-I关系的第一平台的计算结果显示出与超晶格周期数相同的锯齿分支．计算结果还表明宽垒样品U-I关系的第一平台的宽度随流体静压(大于临界压力)的增加而明显变小，而窄垒样品U-I关系的第一平台的宽度则不随流体静压(大于临界压力)的增加而变化．计算结果与实验数据基本吻合。