【摘 要】
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制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3
【机 构】
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上海大学机电工程与自动化学院,上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海大学材料学院
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制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/（V.s）增大至3.12 cm2/（V.s）,阈值电压由20.8 V减小至9.9 V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/dec。25 V直流电压施加3 600 s后,未退火器件的阈值电压变化达到8 V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4V。实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的
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