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从底电极的选择、过渡层的引入、外延膜的生长、取代阳离子的改性四个方面介绍了Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜的研究进展,简述了PZT的Sol-Gel机理研究现状和引起PZT铁电薄膜极化疲劳的原因,分析了Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜研究中存在的问题,并提出展望.
Sol—Gel法制备PZT铁电薄膜新进展
【摘 要】
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从底电极的选择、过渡层的引入、外延膜的生长、取代阳离子的改性四个方面介绍了Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜的研究进展,简述了PZT的Sol-Gel机理研究现状和引起PZT铁电薄膜极化
【机 构】
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哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
【出 处】
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材料科学与工艺
【发表日期】
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2001年4期
【基金项目】
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国防科技预研基金
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