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1980年6月在西德召开的国际精密电磁测量会议上，西德的克里岑（K．Von．Kli—tzing）教授提出一种新的量子效应：金属一氧化物一牛导体场效应晶体管（MOSFET）的霍尔电阻（即霍尔电压与供给器件的源一漏极电流之比）在低温和高磁场中具有量子化效应。当改变场效应管的栅极电压时，
一种新的量子效应--克里岑效应
【摘 要】
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1980年6月在西德召开的国际精密电磁测量会议上，西德的克里岑（K．Von．Kli—tzing）教授提出一种新的量子效应：金属一氧化物一牛导体场效应晶体管（MOSFET）的霍尔电阻（即霍尔电压与供给器
【机 构】
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南京大学物理系
【出 处】
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大学物理
【发表日期】
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1982年12期
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