蓄势待发的SiC功率半导体器件

来源 :大功率变流技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaoshen1984
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<正>SiC作为第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和功率半导体器件制造水平最为成熟的宽禁带半导体材料。优异的物理特性使其成为高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料,SiC功率器件被誉为下一代的功率半导体器件。从2001年第一只商业化的SiC功率SBD被推出以来,SiC功率半导体器件得到迅速发展。SiC材料生长技术不断完善,制
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