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文章采用化学气相沉积CVD方法[1],在EPI-PRO5000型平板式外延炉上,通过综合采取二次本征法、变流吹扫及低温外延沉积等工艺方法和手段,在5英寸〈111〉晶向,电阻率（0.7～1.5）×10^-3Ω·cm重掺P衬底上,研究成功了一种N/N＋型硅外延层的生长方法,产出的硅外延片完全满足客户的使用要求。目前,该项研究成果已经应用于大规模生产中。