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本文分析了用直流测量法提取ＭＯＳ晶体管的有效沟长、有效沟宽的基本原理与方法，制作一组Ｗ相同，Ｌ不同；Ｌ相同，Ｗ不同的ＭＯＳ晶体管，进行△Ｌ、△Ｗ的提取，误差控制在０．０５μｍ。
电学法测量晶体管有效沟长沟宽初探
【摘 要】
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本文分析了用直流测量法提取ＭＯＳ晶体管的有效沟长、有效沟宽的基本原理与方法，制作一组Ｗ相同，Ｌ不同；Ｌ相同，Ｗ不同的ＭＯＳ晶体管，进行△Ｌ、△Ｗ的提取，误差控制在０．０５μｍ。
【机 构】
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中国华晶电子集团公司MOS事业部
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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1997年1期
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