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电学法测量晶体管有效沟长沟宽初探
电学法测量晶体管有效沟长沟宽初探
来源 :微电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qinxiaogang2009
【摘 要】
:
本文分析了用直流测量法提取MOS晶体管的有效沟长、有效沟宽的基本原理与方法,制作一组W相同,L不同;L相同,W不同的MOS晶体管,进行△L、△W的提取,误差控制在0.05μm。
【作 者】
:
文俊
唐云
【机 构】
:
中国华晶电子集团公司MOS事业部
【出 处】
:
微电子技术
【发表日期】
:
1997年1期
【关键词】
:
有效沟道长度
有效沟道宽度
MOS
集成电路
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本文分析了用直流测量法提取MOS晶体管的有效沟长、有效沟宽的基本原理与方法,制作一组W相同,L不同;L相同,W不同的MOS晶体管,进行△L、△W的提取,误差控制在0.05μm。
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