【摘 要】
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本文研制了新型脉冲阴极弧电源,并实现了脉冲增强电子发射(P3e)以提高真空室内等离子体密度.该电源核心由脉冲发射和维持电流系统构成,由单片机和触摸屏系统协同控制和管理.
【机 构】
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哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室,黑龙江 哈尔滨 150001
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本文研制了新型脉冲阴极弧电源,并实现了脉冲增强电子发射(P3e)以提高真空室内等离子体密度.该电源核心由脉冲发射和维持电流系统构成,由单片机和触摸屏系统协同控制和管理.对P3e电源进行放电特性和脉冲增强电子发射效应进行了研究.结果表明,在相同平均电弧电流条件下,与直流相比,P3e技术能够显著提高工件(基体)脉冲电流与平均电流.在电弧平均电流90 A时,基体脉冲电流由5A提高到19.6 A,基体平均电流由2.2A最大提高到4.6A,表明脉冲增强了电子发射,进而获得高的等离子体密度,这将有助于增加膜层致密性、降低膜层应力.该新型电源对于阴极弧靶中毒抑制、膜层结构改善、膜层颗粒污染控制具有重要的意义.
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