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以ＳｉＨ４和ＮＨ３作为反应气体，用常压化学气相沉积（ＡＰＣＶＤ）法在平板玻璃表面制备出了氮化硅薄膜，研究氮化硅薄膜的形貌和微观结构，研究结果表明：在６６０℃温度所获得的氮化硅薄膜为非晶态，氮化硅薄膜与平板玻璃基板之间的界有熔焊现象，结合牢固。
APCVD制备氮化硅薄膜的微观结构
【摘 要】
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以ＳｉＨ４和ＮＨ３作为反应气体，用常压化学气相沉积（ＡＰＣＶＤ）法在平板玻璃表面制备出了氮化硅薄膜，研究氮化硅薄膜的形貌和微观结构，研究结果表明：在６６０℃温度所获得的氮化硅薄膜为非晶态，氮化硅薄膜与平板
【机 构】
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浙江大学无机非金属材料研究所,浙江省建筑科学设计研究院
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2000年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金!59572006,,浙江省151人才工程基金
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