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采用基于第一性原理方法对Ca2Si和A1掺杂Cazsi的能带结构、态密度和光学性质进行计算.结果表明Al掺杂引起了晶格结构畸变,晶胞体积增大;A1掺杂Ca2Si使得费米能级插入价带中,Ca2Si导电类型变为P型半导体,禁带宽度由未掺杂时的0.26减小到0.144eV,价带主要由Si的3p,Al的3p以及Ca的4s和3d共同贡献,导带主要由Si的3p态贡献;光学性质的结果显示,由于A1掺入,ε1(O)值增大,ε2(ω)向低能端移动,吸收系数、复折射率增大,反射率减小.