薄壁开口定向氮掺杂碳纳米管的制备及其优异的场发射性能

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【摘要】

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以乙腈为碳源,二茂铁为催化剂,用化学气相沉积(CVD)法,制备了薄壁开口定向氮掺杂的多壁碳纳米管.在780℃～860℃的生长温度范围内,随着温度的升高,碳纳米管的场发射效应增强.当

【作者】

：

崔同湘吕瑞涛康飞宇黄正宏王昆林吴德海

【机构】

：

清华大学

【出处】

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炭素

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

碳纳米管薄壁开口定向氮掺杂场发射效应

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以乙腈为碳源,二茂铁为催化剂,用化学气相沉积(CVD)法,制备了薄壁开口定向氮掺杂的多壁碳纳米管.在780℃～860℃的生长温度范围内,随着温度的升高,碳纳米管的场发射效应增强.当生长温度为860℃时,制备碳纳米管的开启电场为0.27V/μm,阈值电场为0.49V/μm,增强因子为1.09×105.与其他材料相比,这种碳纳米管体现了非常优越的场发射性能.

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