论文部分内容阅读
采用第一性原理平面波超软赝势方法计算了ZnNb2O6的电子结构和光学性质,并从理论上分析了它们之间的关系.能带结构计算表明ZnNb2O6属于间接带隙半导体,禁带宽度为3.51eV;总态密度主要源于Zn3d、Nb4d以及O2p层电子的态密度;进一步对ZnNb2O6材料的光学性质计算,表明带间跃迁占主导地位,吸收系数最大峰值为3.02×10^5cm^-1.理论计算得到的结果与实验结果一致,可以为ZnNb2O6材料的应用提供理论支持.