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本文研究了共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷材料烧结缺陷的特点及其对压敏特性的影响.结果表明,晶粒表面所形成的微空洞主要由ZnO的分解挥发产生,晶界的微空洞则主要是由富集于晶界处的Bi2O3分解挥发产生.并对这两类烧结缺陷的形成进行了初步讨论.
共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷的烧结缺陷研究
【摘 要】
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本文研究了共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷材料烧结缺陷的特点及其对压敏特性的影响.结果表明,晶粒表面所形成的微空洞主要由ZnO的分解挥发产生,晶界的微空洞则主要是由富集于晶界
【出 处】
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河南师范大学学报（自然科学版）
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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