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目的:研究不同程度干旱胁迫下硅对甘草种子萌发和幼苗生长阶段的调控效应及其最佳浓度。方法:通过水培发芽试验,采用不同浓度PEG-6 000水溶液模拟干旱胁迫环境,根据生产实践设置较多水平的干旱胁迫(0%、5%、10%、15%、20%、25%、30%PEG-6 000),设置了3个硅(K2Si O3)浓度(0、1、3 m M)。结果:轻中度(5%-15%PEG)干旱胁迫对甘草种子萌发和幼苗生长没有明显的抑制,重度(≥20%PEG)干旱胁迫明显抑制甘草生长、降低其幼苗生物量。施硅能显著促进试验所设条件下甘草种子